绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用

作     者：陈新亮 薛俊明 孙建 赵颖 耿新华 Chen Xinliang;Xue Junming;Sun Jian;Zhao Ying;Geng Xinhua

作者机构：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2007年第28卷第7期

页      面：1072-1077页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：天津市自然科学基金(批准号:043604911) 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202602 2006CB202603)资助项目 

主　　题：MOCVD 绒面ZnO薄膜 B掺杂 前电极 太阳电池 

摘      要：研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有（110）峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~12Ω/□,平均透过率大于80%,迁移率为30.5cm2/（V.s）的绒面结构ZnO薄膜.PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量,有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性;低压H2氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率.将其用作Si薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-UtypeSnO2作前电极的电池具有同等效果.