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基于忆阻器的可变电阻器建模

Modeling of variable resistors based on memristor

作     者:王彬 方芳 王伟 任福继 WANG Bin;FANG Fang;WANG Wei;REN Fuji

作者机构:合肥工业大学计算机与信息学院安徽合肥230601 情感计算与先进智能机器安徽省重点实验室安徽合肥230601 

出 版 物:《合肥工业大学学报(自然科学版)》 (Journal of Hefei University of Technology:Natural Science)

年 卷 期:2020年第43卷第2期

页      面:188-193页

学科分类:08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家自然科学基金资助项目(61432004 61474035 61204046 61306049) 安徽省科技攻关计划资助项目(1206c0805039) 安徽省自然科学基金资助项目(1508085QF129) 教育部新教师基金资助项目(20130111120030) 

主  题:数控可编程电阻器 忆阻器 可调电阻器 

摘      要:现有的各种固定电阻、可调电阻器(电阻箱)和数控可编程电阻器都有不足之处,不能满足科研等场所对制备时间、灵活性的要求。文章提出在数字电路中加入忆阻器并且通过控制施加电压的时间得到一种可变电阻器的设计模型。在Simulink平台上对基于忆阻器的可变电阻器建模并进行了验证,同时与传统数控可编程电阻器进行了比较。实验数据表明,基于忆阻器的可调电阻器模型在灵活性、阻值连续性、阻值精度等方面与数控可编程电阻器相比都有明显改善。

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