氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用

作     者：黄维 陈之战 陈博源 张静玉 严成锋 肖兵 施尔畏 Huang Wei;Chen Zhi-Zhan;Chen Bo-Yuan;Zhang Jing-Yu;Yan Cheng-Fen;Xiao Bing;Shi Er-Wei

作者机构：中国科学院上海硅酸盐研究所宽禁带半导体材料课题组上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2009年第58卷第5期

页      面：3443-3447页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A146) 中国科学院知识创新项目(批准号:KGCX2-YW-206) 上海自然科学基金(批准号:06ZR14096) 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放基金(批准号:SKL200810SIC)资助的课题 

主　　题：欧姆接触 SiC 富碳层 互扩散 

摘      要：采用浓度为10%的氢氟酸(HF)刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响.经24h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压(I-V)曲线.低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C元素是以非晶态存在.通过研究高温快速退火下元素的互扩散及HF与SiC表层反应机理,发现SiC表面富碳层是这两种方法形成欧姆接触的关键因素.