封装对大功率VCSEL窄脉冲发光特性的影响

作     者：颜颖颖 陈志文 邱剑 刘克富 张建伟 Yan Yingying;Chen Zhiwen;Qiu Jian;Liu Kefu;Zhang Jianwei

作者机构：复旦大学先进照明技术教育部工程研究中心上海200433 复旦大学信息科学与工程学院光源与照明工程系上海200433 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室吉林长春130033 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2020年第40卷第8期

页      面：91-98页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：复旦大学-长春光学精密机械与物理研究所联合基金(FC2017-002) 战略火箭创新基金(Y18112) 

主　　题：激光光学 垂直腔面发射激光器 激光雷达测距 窄脉冲 高功率 

摘      要：相比传统边发射激光器,垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束质量高、可靠性高,在激光雷达测距(LiDAR)领域有广泛的应用前景。主要研究直插式TO(transistor outline)封装VCSEL和裸芯片VCSEL在窄脉冲大电流条件下的发光特性,通过Pspice参数扫描分析结合实验结果和理论计算,比较了两种封装激光器的杂散参数大小,并分析了其对激光器发光特性的影响。推导出了脉冲条件下VCSEL的功率转换效率公式,并分析了杂散参数对VCSEL功率转换效率的影响。