电沉积Cu-In-Ga金属预制层的硒硫化研究

作     者：张超 敖建平 毕金莲 姚立勇 孙国忠 周志强 何青 孙云 Zhang Chao;Ao Jian-Ping;Bi Jin-Lian;Yao Li-Yong;Sun Guo-Zhong;Zhou Zhi-Qiang;He Qing;Sun Yun

作者机构：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2013年第62卷第23期

页      面：441-450页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20090031110031)资助的课题 

主　　题：电化学沉积 Cu-In-Ga金属预制层 硒硫化处理 Cu(In,Ga)(S,Se)2薄膜 

摘      要：以H2S气体作为硫源、固态蒸发硒蒸气作为硒源对电沉积Cu-In-Ga金属预制层进行硒硫化处理.通过电沉积Cu-In-Ga金属预制层在不同衬底温度下硒化、硫化和硒硫化的对比实验,发现CuInS2相和CuIn(S,Se)2相优先生成,抑制了CuInSe2相的生成,促使InSe相薄膜向内部扩散,减弱了薄膜两相分离现象.采用先硒化后硒硫化处理工艺优化了Cu(In,Ga)(S,Se)2薄膜的制备工艺,在250 C预硒化得到了开路电压为570 mV的太阳电池,在更高的预硒化温度得到了较大短路电流的太阳电池,最终优化得到了效率达到10.4%的电池器件.