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GaN基激光器电子阻挡层的优化分析
Optimization of the Electron Blocking Layer in GaN Laser Diodes作者机构：北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所北京100871
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2006年第27卷第8期
页 面：1458-1462页
核心收录：
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
基 金：国家自然科学基金(批准号:60477011 60476028 60406007 60276010) 国家高技术研究发展计划(批准号2001AA313110 2001AA313060 2001AA313140 2005AA31G020)资助项目
摘 要：从载流子输运机制的角度,分析了影响GaN基激光器中有源区电流溢出的因素,对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化.结果表明,当p型掺杂水平增高时,所需要的势垒高度减小,即Al组分减小.
