Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究

作     者：何诺天 唐慧丽 刘波 张浩 朱智超 赵衡煜 徐军 HE Nuotian;TANG Huili;LIU Bo;ZHANG Hao;ZHU Zhichao;ZHAO Hengyu;XU Jun

作者机构：同济大学高等研究院物理科学与工程学院先进微结构材料教育部重点实验室上海200092 同济大学化学科学与工程学院上海200092 上海蓝宝石晶体工程研究中心上海200092 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2020年第49卷第8期

页      面：1534-1540,1561页

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：Scientific and Innovative Action Plan of Shanghai(18511110502) Equipment Pre-research Fund Key Project(6140922010601) 

主　　题：氧化镓 Ge掺杂 发光性能 快衰减 

摘      要：采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶β-Ga2O3晶体光学带隙增大。在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快。