基于生长方向的P型ZnO薄膜特性的研究

作     者：焦宝臣 张晓丹 赵颖 魏长春 孙建 赵静 杨瑞霞 JIAO Bao-chen;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;WEI Chang-chun;SUN Jian;ZHAO Jing;YANG Rui-xia

作者机构：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 河北工业大学信息学院天津300130 天津新华职工大学天津300040 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2008年第19卷第4期

页      面：482-485页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60506003) 天津市自然科学基金资助项目(05YFJMTC01600) 南开大学博士启动基金资助项目(J02031) 科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390) 国家重点基础研究发展规划资助项目(2006CB202602,2006CB202603) 新世纪优秀人才计划资助项目 

主　　题：超声雾化热分解法 N-Al共掺ZnO p型ZnO 

摘      要：利用超声雾化热分解法(USP),通过N-Al共掺的方法,制备出p型ZnO薄膜。利用霍尔测试、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜分析了不同生长时间ZnO薄膜样品的电学特性、结构和表面形貌的变化。结果表明:其它条件固定时,只有在合适的生长时间条件下,才能得到电学性能较好的N-Al共掺p型ZnO薄膜(电阻率为46.8Ω.cm、迁移率为0.05cm2.V-1.s-1、载流子浓度是2.86×1018cm-3。