基于SDD技术的简单精确的GaAs HBT经验模型

作     者：程林 张金灿 刘敏 刘博 李娜 CHENG Lin;ZHANG Jin-can;LIU Min;LIU Bo;LI Na

作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室陕西西安710071 河南科技大学电气工程学院河南洛阳471023 

出 版 物：《中国电子科学研究院学报》 (Journal of China Academy of Electronics and Information Technology)

年 卷 期：2020年第15卷第9期

页      面：894-899页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(61804046,61704049) 河南省高等学校重点科研项目(20B510006) 

主　　题：Agilent HBT模型 VBIC模型 砷化镓异质结双极型晶体管 经验模型 参数提取 

摘      要：Agilent模型的等效电路可以较好地表征器件的物理特性,但是其中的直流和交流表达式较为复杂,鉴于此,文中在Agilent HBT模型等效电路的基础上,利用符号自定义(SDD)技术,提出了一种简单且精确的经验模型。该模型直流部分采用VBIC模型中的直流表达式,交流部分采用经验表达式,使得模型得以简化,参数提取难度大大降低。采用1μm Ga As HBT器件,对本文所提出的经验的Ga As HBT器件模型进行验证。在对模型的参数进行完整提取的基础上,通过将Agilent HBT模型和所提出的经验模型的仿真结果与测试结果相对比,验证了所提出的经验模型的精确性。