金属-铁电体-GaN结构研究

作     者：毕朝霞 张荣 李卫平 殷江 沈波 周玉刚 陈鹏 陈志忠 顾书林 施毅 刘治国 郑有炓 

作者机构：南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2002年第23卷第1期

页      面：30-33页

核心收录：

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家重点基础研究规划项目(G2 0 0 0 0 683 ) 国家杰出青年研究基金 (60 0 2 5 411) 国家自然科学基金 (699760 14 6963 60 10 6980 60 0 6 699870 0 1) 国家"八六三"高技术研究计划资助项目 

主　　题：半导体 氮化镓 铁电体 金属 

摘      要：以铁电体 Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7) O3取代传统绝缘栅氧化物制备了 Ga N基金属 -绝缘层 -半导体 (MIS)结构 .由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数 ,Ga N基金属 -铁电体 -半导体 (MFS)结构的电容 -电压特性与其他 Ga N基MIS结构相比较得到了显著的提高 .Ga N基 MFS结构中 Ga N激活层达到反型时的偏压小于 5 V ,这和硅基电子器件和集成电路的工作电压一致 ,而且结果表明 Ga N层的载流子浓度比其背景载流子浓度减小了一个数量级 .因此 ,Ga N基 MFS结构对于 Ga