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用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

标准编号:GB/T 14863-2013

提出单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心;中国电子科技集团公司第四十六研究所;中国电子技术标准化研究院

起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心;中国电子科技集团公司第四十六研究所;中国电子技术标准化研究院

发布单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心;中国电子科技集团公司第四十六研究所;中国电子技术标准化研究院

发布日期:2013年

实施日期:20140815

页      码:14P.;A4(仅供参考)页

主      题:外延层 电容 二极管 电压  半导体器件 EPITAXIAL LAYERS CAPACITANCE DIODES POTENTIALS VOLTAGE SILICON SILICONE SEMICONDUCTOR DEVICES 

中国标准分类号:H80

国际标准分类号:29_045

摘      要:本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。

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