非易失性半导体存储装置及其存取评价方法

专利申请号：CN200710139098.9

公 开 号：CN101231892B

发 明 人：小田大辅 仓盛文章 

代 理 人：黄纶伟

代理机构：11127 北京三友知识产权代理有限公司

专利类型：授权发明

申 请 日：20130213

公 开 日：20070725

专利主分类号：G11C29/44(20060101)

关 键 词：错误位置 输出数据 测试模式信号 数据锁存电路 电路 存取 半导体存储装置 非易失性存储器 激活 存储单元阵列 错误数据 错误图案 评价方法 非同步 锁存 纠正 运算 延迟 存储 响应 检测 评价 

摘      要：本发明提供非易失性半导体存储装置及其存取评价方法。本发明对期待值错误图案，在包含了由于ECC的运算产生的纠正延迟的预定定时可靠地进行存取评价。非易失性存储器具有：非同步地读出存储在存储单元阵列(20)中的数据的读出单元(25、30、32)；选择错误位置并输出错误位置选择信号的错误位置选择电路(40)；输入测试模式信号，在所述测试模式信号为激活状态时，响应所述错误位置选择信号，使所述读出单元的输出数据中的一部分数据成为错误数据并输出，在所述测试模式信号为非激活状态时，直接输出所述读出单元的输出数据的错误产生电路(50)；锁存所述错误产生电路(50)的输出数据的数据锁存电路(58)；检测所述数据锁存电路(58)的输出数据的错误并纠正的ECC(59)。