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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN201780063229.1
公 开 号:CN109803917A
发 明 人:T·克拉默 T·弗里德里希 A·丹嫩贝格 J·弗里茨
代 理 人:侯鸣慧
代理机构:72002 永新专利商标代理有限公司
专利类型:发明申请
申 请 日:20190524
公 开 日:20170918
专利主分类号:B81B7/00(20060101)
关 键 词:蚀刻 硅衬底 传感器芯 第二空腔 晶片 微机械压力传感器 传感器膜片 第一空腔 过程构造 键合 制造
摘 要:本发明提出一种用于制造微机械压力传感器(100)的方法,具有以下步骤:提供具有硅衬底(11)和构造在该硅衬底中的、在传感器膜片(12)下面的第一空腔(13)的MEMS晶片(10);提供第二晶片(30);使所述MEMS晶片(10)与所述第二晶片(30)键合;并且使传感器芯(12、13、13a)从背侧开始露出,其中,在传感器芯(12、13、13a)和所述硅衬底(11)的表面之间构造第二空腔(18),其中,借助蚀刻过程构造所述第二空腔(18),该蚀刻过程以限定改变的蚀刻参数实施。