一种应用于芯片内部的高压转低压电路

专利申请号：CN201821824658.4

公 开 号：CN208924118U

发 明 人：方建平 李红艳 张适 

代 理 人：金凤

代理机构：61204 西北工业大学专利中心

专利类型：实用新型

申 请 日：20190531

公 开 日：20181106

专利主分类号：H02M3/158(20060101)

关 键 词：本实用新型 电阻 漏极 芯片 电路 基准电压产生电路 高压转低压电路 电流偏置电路 电路设计 电源电压 节点电压 镜像电流 输出电压 栅极电压 阈值电压 低电压 电流镜 漏极端 电容 功耗 应用 

摘      要：本实用新型提供了一种应用于芯片内部的高压转低压电路，随着VIN电压的继续上升，MOS管M3开启，MOS管M3漏极端产生电压并跟随电源电压的上升而上升，当电阻R3和R4之间的节点电压达到阈值电压时，MOS管M4开启，MOS管M1，M2构成的电流镜开始工作，MOS管M2的产生的镜像电流作用在电阻R2上，为MOS管M3提供栅极电压，MOS管M3的漏极产生稳定的输出电压，连接在MOS管M2的漏极和MOS管M3的漏极之间的电阻R1和电容C1对整个电路进行补偿。本实用新型不需要基准电压产生电路和额外的电流偏置电路，通过简单的电路设计，产生稳定的可供芯片内部其他模块工作的低电压，不需要浪费过多的芯片面积，同时本实用新型的电路自身的功耗很低，可以提高整个芯片工作时的稳定性。