无创迷走神经磁刺激设备

专利申请号：CN201821950819.4

公 开 号：CN209645654U

发 明 人：巫彤宁 邢晟魁 张晨 李从胜 杨蕾 

代 理 人：王天尧;薛平

代理机构：11127 北京三友知识产权代理有限公司

专利类型：实用新型

申 请 日：20191119

公 开 日：20181126

专利主分类号：A61N2/04(20060101)

关 键 词：储能电容 脉冲电流 充放电控制模块 迷走神经 线圈装置 刺激 实时生理信号 采集装置 充放电 无创 中心控制单元 本实用新型 磁刺激设备 时序 电磁场 磁刺激 有效地 预设 充电 采集 传递 

摘      要：本实用新型提供了一种无创迷走神经磁刺激设备，包括：刺激线圈装置，用于根据变化的脉冲电流产生变化的电磁场刺激迷走神经；脉冲电流的大小大于预设强度；储能电容，与刺激线圈装置连接，用于通过充放电将变化的脉冲电流传递至刺激线圈装置；充放电控制模块，与储能电容连接，用于以脉冲电流不停地向储能电容充电，改变储能电容的充放电时序；采集装置，用于采集受体的实时生理信号；中心控制单元，与所述充放电控制模块和采集装置连接，用于根据所述实时生理信号对应的磁刺激参数，控制所述充放电控制模块工作。上述技术方案实现了有效地无创刺激迷走神经。