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一种生长高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置
专利申请号：CN201510223992.9
公 开 号：CN104775149B
代 理 人：苗峻;杨婷
代理机构：37205 济南舜源专利事务所有限公司
专利类型：授权发明
申 请 日：20170922
公 开 日：20150505
专利主分类号：C30B13/20(20060101)
关 键 词：半绝缘碳化硅单晶 单晶 高纯 预处理 高频大功率器件 单晶生长过程 金属离子杂质 保温材料 单晶生长 功率输出 施主杂质 受主杂质 有效减少 半绝缘 电阻率 钒掺杂 俘获 坩埚 生长 引入
摘 要：本发明涉及一种高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置，属于单晶生长技术领域。本发明采用特定装置将生长SiC单晶用坩埚及保温材料进行预处理，并在单晶生长过程中引入特定的气体，有效减少SiC单晶中的施主杂质N、受主杂质B及金属离子杂质，提高了电阻率，并且避免了钒掺杂半绝缘SiC的深俘获中心对高频大功率器件功率输出的影响，制得了高纯半绝缘碳化硅单晶。
