半导体器件中的机械应力去耦合

专利申请号：CN201510243718.8

公 开 号：CN105097809B

发 明 人：S·比塞尔特 D·迈因霍尔德 

代 理 人：王茂华;董典红

代理机构：11256 北京市金杜律师事务所

专利类型：授权发明

申 请 日：20190122

公 开 日：20150513

专利主分类号：H01L27/102(20060101)

关 键 词：半导体器件 侧壁处 去耦合 侧壁涂层 第二区域 第一区域 侧壁 并行 半导体器件制造 机械应力 钝化 刻蚀 绝缘 配置 

摘      要：本公开涉及半导体器件中的机械应力去耦合。根据半导体器件制造中的方法，在半完成的半导体器件中并行地刻蚀第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽为最终半导体器件的第一区域和其第二区域之间的机械去耦合沟槽。该方法进一步包括并行地对第一沟槽的侧壁和第二沟槽的侧壁进行钝化或绝缘。相关的半导体器件包括被配置用于提供在半导体器件的第一区域和第二区域之间的机械去耦合的第一沟槽。该半导体器件进一步包括第二沟槽以及在第一沟槽的侧壁处和在第二沟槽的侧壁处的侧壁涂层。在第一沟槽的侧壁处和在第二沟槽的侧壁处的侧壁涂层具有相同材料。