存储设备及其数据读写方法

专利申请号：CN201410562409.2

公 开 号：CN104317753B

发 明 人：王月青 陈小刚 蔡道林 宋志棠 李喜 陈一峰 

代 理 人：李仪萍

代理机构：31219 上海光华专利事务所

专利类型：授权发明

申 请 日：20170922

公 开 日：20141021

专利主分类号：G06F13/28(20060101)

关 键 词：控制模块 相变存储器芯片 相变存储器接口 存储设备 耦合到 外部设备 读取 存储控制器 相变存储器 存储介质 坏块管理 屏蔽功能 数据读取 数据读写 写入命令 抗疲劳 读写 坏块 纠错 写入 响应 

摘      要：本发明提供一种存储设备及其数据读写方法，其中，所述存储设备至少包括：相变存储器芯片；耦合到所述相变存储器芯片的相变存储器接口控制模块；耦合到外部设备的SD接口控制模块；以及耦合到所述相变存储器接口控制模块和所述SD接口控制模块的存储控制器，用于响应来自于所述SD接口控制模块的数据读取或写入命令，并通过所述相变存储器接口控制模块控制对所述相变存储器芯片的读取或写入。本发明的存储设备为基于相变存储器的SD卡，采用相变存储器芯片作为存储介质，可以进行随机读写。另外，相较于FLASH，坏块管理和ECC纠错等操作也更加简单，实现了坏块屏蔽功能，且具有抗疲劳的特点。