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一种非易失存储器耐久力物理数据模型测试方法
专利申请号：CN201610772489.3
公 开 号：CN106653094B
专利类型：授权发明
申 请 日：20190716
公 开 日：20160830
专利主分类号：G11C29/50(20060101)
关 键 词：非易失存储器 智能卡芯片 存储器 物理数据 预期数据 高安全 写入 物理数据模型 加解密处理 可靠性测试 可靠性水平 数据加解密 易失存储器 测试 失效模式 数据加密 不一致 加解密 有效地 本征 编程 嵌入 覆盖 考核 保证
摘 要：本发明公开了一种消除高安全智能卡芯片数据加解密对非易失存储器可靠性测试影响的方法。针对数据加密后写入存储器的物理数据与编程预期数据不一致，在测试COS中嵌入预加解密函数，对数据进行预加解密处理，保证写入存储器的物理数据与预期数据一致。本发明提出的非易失存储器物理数据模型测试方法，能够覆盖典型物理失效模式，有效地考核高安全智能卡芯片中非易失存储器的本征可靠性水平。
