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一种消除成型PLC晶圆内部残余应力的方法
专利申请号：CN201510352747.8
公 开 号：CN105158858B
发 明 人：杨志援
代 理 人：长沙市融智专利事务所魏娟
代理机构：43114 长沙市融智专利事务所
专利类型：发明专利
申 请 日：20170118
公 开 日：20150624
专利主分类号：G02B6/42(20060101)
关 键 词：晶圆 波导层 成型 残余应力 基层 表面粘合 高温退火 高温氧化 晶圆表面 粘合 去除 打磨 生长
摘 要：本发明公开了一种消除成型PLC晶圆内部残余应力的方法，该方法是对由高温氧化生长及高温退火工艺在基层晶圆表面生成波导层得到的成型PLC晶圆进行包括打磨方式去除与波导层粘合的原有基层晶圆，以及在去除了原有基层晶圆的波导层表面粘合新基层晶圆的步骤，能有效消除成型PLC晶圆内部残余应力，该方法操作简单、成本低，可以推广应用。
