一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法

专利申请号：CN201410072323.1

公 开 号：CN103794644B

发 明 人：艾立鹍 徐安怀 齐鸣 周书星 

代 理 人：上海智信专利代理有限公司潘振甦

代理机构：31002 上海智信专利代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20170419

公 开 日：20140228

专利主分类号：H01L29/737(20060101)

关 键 词：衬底 解析 制备 生长 双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 表面氧化层 外延缓冲层 亚集电极层 表面解吸 衬底表面 发射极层 集电极层 磷化铟基 外延材料 外延生长 预处理室 半绝缘 基极层 截止层 均匀性 生长室 渐变 除气 盖层 裂解 气源 去除 加热 送入 腐蚀 传递 保证 

摘      要：本发明涉及一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层、腐蚀截止层、亚集电极层、集电极层、渐变基极层、发射极层和盖层组成；制备特征在于：（1）将InP（100）衬底送入气态源分子束外延系统GSMBE的预处理室，于300‑350℃除气；（2）将上述衬底传递至GSMBE的生长室，生长前的衬底表面解析，解析是在As气氛下加热至解析温度，去除表面氧化层，然后将PH3于1000℃进行裂解，得到P2用作Ps源，调节气源炉PH3压力PV为450～700Torr；（3）衬底在P气氛的保护下进行生长前的表面解吸，衬底温度于400℃下进行外延生长，生长时衬底以每分钟5转的速度旋转，以保证外延材料的均匀性。