专利申请号：CN201911192674.5
公 开 号：CN111218715A
发 明 人：杨明仑 萧至廷 薛培堃
代 理 人：戴广志
代理机构：31211 上海浦一知识产权代理有限公司
专利类型：发明申请
申 请 日：20200602
公 开 日：20191128
专利主分类号：C30B23/02(20060101)
关 键 词：孔洞 单晶硅薄膜 硅衬底 内表面 应变硅 钻石型 刻蚀
摘 要：本发明公开了一种应变硅成长于不同版图特征下的改善方法，在硅衬底的钻石型孔洞刻蚀后,在该孔洞的内表面形成一层单晶硅薄膜。本发明能够有效改善LOD效应。
