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形成用于晶体管的替换闸极结构的方法及其造成的装置
专利申请号：CN201410383611.9
公 开 号：CN104347426B
代 理 人：程伟;王锦阳
代理机构：11314 北京戈程知识产权代理有限公司
专利类型：授权发明
申 请 日：20190503
公 开 日：20140806
专利主分类号：H01L21/336(20060101)
关 键 词：内表面 修整 侧向空间 间隔物 金属 侧壁间隔物 功函数调整 阶梯剖面 闸极结构 锥形剖面 侧向地 晶体管 替换
摘 要：本揭露是包括形成用于晶体管的替换闸极结构的方法及其造成的装置。在一些具体实施例中，该间隔物的该内表面具有阶梯剖面结构或锥形剖面结构。在一范例中，揭露一装置，其中，用于PMOS装置的该P型功函数金属仅设在由该间隔物的未修整内表面所定义的侧向空间内，同时用于NMOS装置的功函数调整金属是侧向地设在由该侧壁间隔物的已修整内表面和未修整内表面两者所定义的侧向空间之间。
