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一种积累型碳化硅功率MOSFET器件
专利申请号：CN201910231502.8
公 开 号：CN110164975A
代 理 人：甘茂
代理机构：51203 电子科技大学专利中心
专利类型：发明申请
申 请 日：20190823
公 开 日：20190326
专利主分类号：H01L29/78(20060101)
关 键 词：降低器件 积累型 碳化硅功率半导体器件 半导体功率器件 比导通电阻 沟道载流子 碳化硅功率 导通电阻 导通压降 电荷补偿 电子沟道 发明器件 沟道电阻 特征电阻 优化器件 折衷关系 反型层 漂移区 迁移率 电阻 沟道 耐压 正向 应用
摘 要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及碳化硅功率半导体器件，具体为一种积累型碳化硅功率MOSFET器件，具有正向阻断能力，使用积累型电子沟道以及电荷补偿等技术，可以提高沟道载流子(电子)迁移率，降低器件的沟道电阻及漂移区电阻，即可以降低器件的特征电阻，优化器件耐压与比导通电阻间的折衷关系。与传统反型层沟道的器件比较，本发明器件具有更低的导通电阻和导通压降，因此具有广阔的应用前景。
