版权所有：内蒙古大学图书馆 技术提供：维普资讯• 智图
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法
专利申请号：CN201811112823.8
公 开 号：CN110942974A
发 明 人：不公告发明人
代 理 人：吴娅妮;于宝庆
代理机构：11438 北京律智知识产权代理有限公司
专利类型：发明申请
申 请 日：20200331
公 开 日：20180925
专利主分类号：H01L21/02(20060101)
关 键 词：流量比 半导体结构 射频功率 疏水性表面 氧化硅层 沉积 半导体结构表面 二氧化硅层 氧化硅膜 硅化物 粘附性 光阻 基底 晶圆 氧气
摘 要：本发明提供一半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法，该半导体结构的形成方法包括：在基底上形成第一氧化硅层；以及通过调整沉积工艺的射频功率和流量比在所述第一氧化硅层上形成第二氧化硅层；其中，所述射频功率为800～1500W，所述流量比是氧气与硅化物的流量比，所述流量比为(3～5):1。本发明一实施方式，通过调整沉积工艺的射频功率和流量比，使所述半导体结构表面具有较低含量的‑H和‑OH，进而形成疏水性表面，所述疏水性表面可以改善所述半导体结构与光阻之间的粘附性。
