光纤集成层状硒化镓纳米片的光频率转换器及制备方法

专利申请号：CN202010163032.9

公 开 号：CN111240123A

发 明 人：姜碧强 郝臻 纪亚飞 侯跃国 弋瑞轩 毛东 甘雪涛 赵建林 

代 理 人：王鲜凯

代理机构：61204 西北工业大学专利中心

专利类型：发明专利

申 请 日：20200605

公 开 日：20200310

专利主分类号：G02F2/02(20060101)

关 键 词：纳米片 硒化镓 倍频光 和频光 泵浦光功率 微纳光纤 泵浦光 波长 二阶光学非线性 光频率转换器 模式折射率 二次谐波 个数量级 光纤表面 光纤集成 连续激光 脉冲激光 平方关系 强度提升 数值模拟 高阶模 极化率 倏逝场 基模 制备 损伤 输出 

摘      要：本发明涉及一种光纤集成层状硒化镓纳米片的光频率转换器及制备方法，将硒化镓纳米片集成在微纳光纤表面，用脉冲激光或连续激光作泵浦光，在横截面上具有很强的功率密度，且在光纤表面具有很强的倏逝场，结合硒化镓纳米片1的高二阶光学非线性极化率的特性，可以高效地产生倍频光或和频光。微纳光纤集成硒化镓纳米片后，二次谐波的强度提升了4个数量级。数值模拟表明，泵浦光基模、倍频光或和频光高阶模的模式折射率对波长的依赖性较小，此外，硒化镓纳米片具有较高的损伤阈值，且理论上倍频光或和频光的功率与泵浦光功率成平方关系，因此，只要进一步提高泵浦光功率，就能在很宽的波长范围内实现更强的倍频光或和频光输出。