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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
电流源及其形成方法
专利申请号：CN201910138997.X
公 开 号：CN111430447A
发 明 人：陈耿川
代 理 人：郑星
代理机构：31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
专利类型：发明申请
申 请 日：20200717
公 开 日：20190225
专利主分类号：H01L29/06(20060101)
关 键 词：电流源 沟槽隔离结构 发射区 基区 可用 半导体逻辑器件 双极型晶体管 电流源器件 电性隔离 深阱区 延伸区 隔离
摘 要：本发明提供了一种电流源及其形成方法。由于电流源中的发射区包括相互连接的深阱区和延伸区，并直接围绕基区，因此该发射区不仅可用于构成电流源中的双极型晶体管，并且还可用于隔离基区。如此一来，即可使得本发明中的电流源能够免除沟槽隔离结构的限制，有利于实现器件尺寸的缩减，并且使本发明中的电流源器件与其他半导体逻辑器件之间，即使利用深度较低的沟槽隔离结构仍能够满足电性隔离的需求。
