具有用于校准传感器装置的辅助结构的传感器装置

专利申请号：CN202010651031.9

公 开 号：CN112213543A

发 明 人：G·宾德 R·达普雷托 D·鲁纳尔迪尼 M·莫茨 V·施特鲁茨 

代 理 人：黄倩

代理机构：11256 北京市金杜律师事务所

专利类型：发明专利

申 请 日：20210112

公 开 日：20200708

专利主分类号：G01R15/20(20060101)

关 键 词：预校准 电流接头 辅助结构 传感器装置 芯片载体 磁场传感器芯片 传感器元件 校准传感器 电流流动 导电 预设 磁场 装配 测量 申请 

摘      要：本申请的各实施例涉及具有用于校准传感器装置的辅助结构的传感器装置。传感器装置包括：导电的芯片载体，其中芯片载体包括辅助结构，其中辅助结构包括第一预校准电流接头和第二预校准电流接头；布置在芯片载体的装配面上的磁场传感器芯片，其中磁场传感器芯片包括传感器元件，其中辅助结构的形状被设计为使得预校准电流在传感器元件的位置上感应出预设的预校准磁场，该预校准电流从第一预校准电流接头通过辅助结构流向第二预校准电流接头，其中在经预校准的传感器装置的测量运行中，在第一预校准电流接头和第二预校准电流接头之间没有预校准电流流动。