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光伏太阳能电池及其制造方法
专利申请号：CN201980067344.5
公 开 号：CN112997320A
发 明 人：A.R.拉古纳 阿隆索 J.本戈切亚 艾珀兹特圭厄 E.苏加斯蒂 德罗森德 M.J.罗德里格斯 亨克
代 理 人：李琳;陈英俊
代理机构：11327 北京鸿元知识产权代理有限公司
专利类型：发明专利
申 请 日：20210618
公 开 日：20191010
专利主分类号：H01L31/0224(20060101)
关 键 词：金属硅化物 太阳能电池 单一材料 电压损耗 硅基板 前电极 光伏 导电材料涂层 热处理 常规电池 沉积金属 银电极 指状物 母线 施加 金属 制造
摘 要：一种光伏太阳能电池及其制造方法，包括：设置在硅基板(1)上的前电极(2)，该前电极(2)至少具有由单一材料构成的若干指状物(4)和若干母线(5)，该单一材料完全由金属硅化物组成，该金属硅化物是通过在硅基板(1)上沉积金属并施加热处理以引起金属和硅之间的反应获得的，因此光伏太阳能电池的电压损耗与具有银电极或额外的导电材料涂层的常规电池的电压损耗接近。
