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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
半导体器件
专利申请号：CN201610214517.X
公 开 号：CN106783856B
代 理 人：王新华
代理机构：11105 北京市柳沈律师事务所
专利类型：授权发明
申 请 日：20211207
公 开 日：20160407
专利主分类号：H01L27/11(20060101)
关 键 词：读缓冲 沟道图案 晶体管 半导体器件 上拉晶体管 下拉晶体管 栅极端子 栅电极 衬底 传输晶体管 晶体管共用 漏极端子 漏极图案 不接触 电连接 上表面 延伸 垂直 覆盖
摘 要：所提供的是一种半导体器件。该半导体器件包括：SRAM单元，包括形成在衬底上的第一上拉晶体管、第一下拉晶体管和第一传输晶体管；第一读缓冲晶体管，连接到第一上拉晶体管的栅极端子和第一下拉晶体管的栅极端子；以及第二读缓冲晶体管，与第一读缓冲晶体管共用漏极端子，其中第一读缓冲晶体管包括：第一沟道图案，在垂直于衬底的上表面的第一方向上延伸；第一栅电极，覆盖第一沟道图案的一部分；以及第一漏极图案，不接触第一栅电极，在第一方向上延伸，并电连接到第一沟道图案。
