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沟槽内埋金属丝的IGBT器件
专利申请号：CN202122493884.7
公 开 号：CN215933614U
代理机构：37275 淄博川诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
专利类型：实用新型
申 请 日：20220301
公 开 日：20211015
专利主分类号：H01L29/739(20060101)
关 键 词：绝缘层 金属丝 本实用新型 连接栅 半导体器件设计 芯片 芯片稳定性 电流波动 内埋 开通 制造
摘 要：本实用新型涉及一种沟槽内埋金属丝的IGBT器件，属于半导体器件设计制造领域。包括栅极(6)和ILD绝缘层(1)，ILD绝缘层(1)设置在栅极(6)的上方，ILD绝缘层(1)上方设置有栅Pad(4)，在ILD绝缘层(1)和栅极(6)之间设置有金属丝(2)，金属丝(2)连接栅Finger(3)，栅Finger(3)连接栅Pad(4)。本实用新型结构简单，设计合理，能够有效降低芯片开通时电流波动，不但提高了芯片稳定性，还提高了芯片的开关速度，具有较强的实用性。
