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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
具有跨接桥的堆叠半导体封装
专利申请号：CN202110891166.7
公 开 号：CN114141756A
代 理 人：中国专利代理(香港)有限公司刘艺诗;吕传奇
代理机构：72001 中国专利代理(香港)有限公司
专利类型：发明申请
申 请 日：20220304
公 开 日：20210804
专利主分类号：H01L23/538(20060101)
关 键 词：半导体器件 互连 跨接 顶表面 耦合到 堆叠半导体封装 直接耦合 电隔离
摘 要：提供了具有跨接桥的堆叠半导体封装。根据各种示例，描述了一种器件。该器件可以包括封装衬底。该器件还可以包括设置在封装衬底上的多个半导体器件，其中该多个半导体器件包括顶表面和底表面。该器件还可以包括耦合到封装衬底的多个互连，其中该多个互连与该多个半导体器件相邻。该器件还可以包括耦合到该多个半导体器件的顶表面和该多个互连的跨接桥，其中跨接桥通过该多个互连直接耦合到封装衬底，并且其中该多个半导体器件的底表面与封装衬底电隔离。
