栅极结构间空气间隙的形成方法及NAND器件的制造方法

专利申请号：CN202111626366.6

公 开 号：CN114300459A

发 明 人：姚邵康 王奇伟 陈昊瑜 

代 理 人：周耀君

代理机构：31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20220408

公 开 日：20211228

专利主分类号：H01L27/11524(20170101)

关 键 词：栅极结构 氮化硅层 去除 湿法蚀刻 空气间隙 介质层 衬底 形貌 覆盖 填充 外壁 腐蚀 

摘      要：本发明提供了一种栅极结构间空气间隙的形成方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成有NAND器件的多个栅极结构，相邻两个栅极结构之间填充有氮化硅层，栅极结构部分凸出于氮化硅层；至少执行两次去除工艺，以去除氮化硅层，其中，每次去除工艺包括，形成保护介质层覆盖栅极结构的外壁，湿法蚀刻部分氮化硅层；于相邻两个栅极结构之间形成空气间隙。本发明中，通过每次去除工艺中先形成保护介质层覆盖栅极结构以及再湿法蚀刻去除部分氮化硅层，利用保护介质层保护栅极结构在湿法蚀刻中不被腐蚀且采用至少两次去除氮化硅层，从而使得栅极结构在湿法蚀刻后保持较佳的形貌，从而有利于后续栅极结构之间的空气间隙的形成。