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一种低密勒电容的VDMOS器件
专利申请号：CN202111682678.9
公 开 号：CN114361239A
代 理 人：成都点睛专利代理事务所(普通合伙)敖欢
代理机构：成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
专利类型：发明专利
申 请 日：20220415
公 开 日：20211231
专利主分类号：H01L29/06
关 键 词：密勒电容 减小 交叠 功率半导体器件 多晶硅电极 金属化源极 导通电阻 电学性能 高掺杂区 开关损耗 有效地 原有的 自隔离 短接 三段 栅漏 掺杂 引入 保证
摘 要：本发明提供一种低密勒电容的VDMOS器件结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种低密勒电容VDMOS器件，通过将多晶硅电极区进行不同类型掺杂，以PN结自隔离的方法将其分为三段，将与JFET区交叠的部分和金属化源极短接，从而使得栅漏的交叠面积大大减小，实现了对密勒电容的有效降低。另外通过在JFET区顶部引入高掺杂区以弥补导通电阻的增大。因此，本发明结构在保证VDMOS原有的基本电学性能的基础上，有效地降低了密勒电容，减小了器件的开关损耗。
