一种固态电解质薄膜离子电导率的测试方法

专利申请号：CN202111609916.3

公 开 号：CN114384325A

发 明 人：汤永康 沈洪雪 甘治平 李刚 

代 理 人：安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙)杨晋弘

代理机构：安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙)

专利类型：发明申请

申 请 日：20220422

公 开 日：20211227

专利主分类号：G01R27/02

关 键 词：固态电解质薄膜 制备 底层金属薄膜 测试 对电极 顶层金属薄膜 电解质薄膜 离子电导率 测试电极 空白空间 金属基 电化学工作站 测试效率 非金属基 交流阻抗 阻抗实部 阻抗虚部 电极 上下层 金属 

摘      要：本发明涉及一种固态电解质薄膜离子电导率的测试方法，包括：在金属基底上制备固态电解质薄膜，在金属基底上留出空白空间作为测试电极，在固态电解质薄膜上制备顶层金属薄膜作为测试对电极；或在非金属基底上制备底层金属薄膜，在底层金属薄膜上制备固态电解质薄膜，底层金属薄膜留出空白空间作为测试电极，于固态电解质薄膜上制备顶层金属薄膜作为测试对电极。利用电化学工作站分别以电解质薄膜的上下层金属作为电极与对电极，采用交流阻抗A.C Impedance的测试方法，得到Z’阻抗实部与‑Z’’阻抗虚部的曲线，通过计算得到电解质薄膜的离子电导率。本发明具有测试方法简单、测试效率高即精度高的优点。