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对单元串执行预充电的非易失性存储器件及其编程方法

对单元串执行预充电的非易失性存储器件及其编程方法

专利申请号:CN202111070540.3

公 开 号:CN114446359A

发 明 人:金炳秀 金炯坤 朴径秀 白世振 尹相范 

专利类型:发明申请

申 请 日:20220506

公 开 日:20210913

专利主分类号:G11C16/24

关 键 词:选定存储单元 存储单元阵列 存储单元 控制电路 预充电 非易失性存储器件 接地选择晶体管 串选择晶体管 公共源极线 预充电电压 预充电阶段 编程操作 选定位线 在位线 验证 施加 配置 

摘      要:一种非易失性存储器件包括存储单元阵列以及控制电路,所述存储单元阵列包括多个单元串,其中,所述多个单元串中的每个单元串包括串联连接在位线与公共源极线之间的串选择晶体管、多个存储单元以及接地选择晶体管;所述控制电路被配置为:对所述多个存储单元当中的选定存储单元执行编程操作,并且在验证阶段中包括的预充电阶段中对包括所述选定存储单元的选定单元串进行预充电,其中,当向连接到所述选定存储单元的选定位线施加第一预充电电压时,所述选定单元串被预充电。

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