经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的单阶梯读取

专利申请号：CN202111430028.5

公 开 号：CN114649040A

发 明 人：P·S·阮 J·菲兹帕特里克 K·K·姆奇尔拉 

代 理 人：北京律盟知识产权代理有限责任公司彭晓文

代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司

专利类型：发明申请

申 请 日：20220621

公 开 日：20211129

专利主分类号：G11C16/34

关 键 词：存储器单元 阈值电平 读取电压 读取 存储器装置 阈值电压 子集 编程 关联 施加 存储器系统 精细编程 数据编程 单阶梯 交错式 申请案 组标识 映射 交错 存储 递增 

摘      要：本申请案涉及经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的单阶梯读取。存储器系统用以在存储器单元中存储多个数据位。存储器装置根据位值组合与阈值电平之间的映射将所述存储器单元的阈值电压粗略地编程到表示位值的组合的第一电平。所述阈值电平被分成组，每一组含有所述阈值电平的子集且具有分离所述子集中的阈值电平的相关联读取电压。为所述存储器单元确定所述组当中含有所述第一电平的第一组的组标识。所述存储器装置施加在序列中按递增次序交错的不同组的读取电压，以在所施加读取电压与所述第一组相关联时读取所述存储器单元。使用从所述存储器单元读回的所述数据位来精细编程所述存储器单元的所述阈值电压。