版权所有:内蒙古大学图书馆 技术提供:维普资讯• 智图
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN201811040713.5
公 开 号:CN109461668B
发 明 人:梁小燕 闵嘉华 梁世金 王坤元 吴鹏飞 陈沛 钱奕明 金程威 赵书浩 秦美琪 张继军 王林军 师好智
代 理 人:上海上大专利事务所(普通合伙)顾勇华
代理机构:上海上大专利事务所(普通合伙)
专利类型:授权发明
申 请 日:20220708
公 开 日:20180907
专利主分类号:H01L21/66
关 键 词:接触电阻率 金电极 欧姆接触特性 碲锌镉晶片 碲锌镉晶体 表面状态 尺寸要求 电极接触 化学沉积 寄生电阻 模型计算 线型电极 线性传输 样品台面 数据处理 传输环 体材料 碲锌镉 探测器 环体 制备 简易 测试 引入
摘 要:本发明涉及一种金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法。本发明利用探测器用碲锌镉晶体材料尺寸要求,采用环体材料的线型电极制备不同间距的传输环,并结合化学沉积金电极的灵活性及与碲锌镉良好的欧姆接触特性,有效避免样品台面和电极接触的余量引入寄生电阻,同时仍然可利用简易的线性传输模型计算模型进行数据处理,而且测得的接触电阻率更全面地反映体材料各个面的表面状态对接触电阻率的影响。