稀土磁体及其制造方法

专利申请号：CN201911313542.3

公 开 号：CN111383809B

发 明 人：伊东正朗 庄司哲也 佐久间纪次 一期崎大辅 

代 理 人：中国贸促会专利商标事务所有限公司陈冠钦

代理机构：中国贸促会专利商标事务所有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20220729

公 开 日：20191219

专利主分类号：H01F1/057

关 键 词：稀土磁体 稀土元素 制造 合金元素 熔点降低 矫顽力 晶界相 摩尔比 主相 

摘      要：本发明涉及稀土磁体及其制造方法。提供高温下的矫顽力的降低被特别地抑制的稀土磁体及其制造方法。稀土磁体(100)及其制造方法，该稀土磁体(100)具备主相(10)和晶界相(20)，整体组成由式由式(NdxLayCezR1w)pFe(100‑p‑q‑r‑s‑t‑u)CoqBrGasCutM1u·(R2aR3bM2(1‑a‑b))v表示，其中，R1为选自Nd、La和Ce以外的稀土元素，R2为选自Pr、Nd、Pm、Sm、Eu和Gd的元素，R3为R2以外的稀土元素，M1为规定的元素等，M2为使R2aR3bM2(1‑a‑b)的熔点降低的合金元素等，以原子％计为5.0≤p≤20.0、0≤q≤8.0、4.0≤r≤6.5、0≤s≤0.5、0≤t≤0.5、0≤u≤2.0且0≤v≤10.0，并且以摩尔比计为0.20≤x≤0.60、0.40≤y≤0.70、0≤z≤0.10、0≤w≤0.10、0.50≤a≤0.70、0≤b≤0.10且x+y+z+w＝1。