一种磁传感器阵列的校准方法

专利申请号：CN202210374959.6

公 开 号：CN114859280A

发 明 人：查旻罡 邓孝逸 闫国普 陈奕 

代 理 人：苏州简理知识产权代理有限公司庞聪雅

代理机构：苏州简理知识产权代理有限公司

专利类型：发明申请

申 请 日：20220805

公 开 日：20220411

专利主分类号：G01R35/00

关 键 词：亥姆霍兹线圈 三轴 磁传感器阵列 磁传感器 磁场 输出数据 校准 电流产生磁场 开启磁传感器 输出数据计算 灵敏度参数 补偿参数 采集数据 互相平行 放入 记录 采集 保证 

摘      要：本发明提供一种磁传感器阵列的校准方法，其包括：提供三轴亥姆霍兹线圈；校准三轴亥姆霍兹线圈，以得到每个轴线圈电流产生磁场的灵敏度参数；将磁传感器阵列放入三轴亥姆霍兹线圈中，并保证磁传感器阵列的三个轴与三轴亥姆霍兹线圈的三个轴互相平行；开启磁传感器阵列开始采集数据，设定三轴亥姆霍兹线圈产生的三个轴的磁场都为第一设定磁场值，记录此时各个磁传感器的第一输出数据；再设定三轴亥姆霍兹线圈产生的三个轴的磁场都为第二设定磁场值，记录此时各个磁传感器的第二输出数据；根据采集到的每个磁传感器的第一输出数据和第二输出数据计算该磁传感器的补偿参数。与现有技术相比，本发明能够完整地对磁传感器阵列进行校准。