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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN202110606752.2
公 开 号:CN113315498B
专利类型:授权发明
申 请 日:20220823
公 开 日:20210527
专利主分类号:H03K17/284
关 键 词:检测点 延迟 开启电阻 智能卡 电阻 带隙基准电压产生电路 输出参考电压 双界面智能卡 非接触模式 复位信号 接触模式 双界面卡 芯片工艺 短延迟 上下电 电容 分压 电路 应用
摘 要:本发明提出了一种高精度POR电路,主要应用于双界面智能卡。随着芯片工艺特征尺寸的持续降低,MOS器件特性变得更加不稳定,传统POR基于器件自身特性,其检测点电压同样变得精度不够,对智能卡类产品的上下电过程造成无法启动的功能风险。本发明针对双界面卡类产品,对POR高精度的检测点电压及非接模式下高精度延迟时间的需求,提出了解决方案。该方案利用了带隙基准电压产生电路(band‑gap)trimming前的输出参考电压,与VCC分压进行比较的方式产生复位信号,提高了检测点电压的精度;同时利用电阻加MOS器件做电阻,结合电容形成RC网络的方式,在需要较长延迟时间的智能卡接触模式,开启电阻和MOS器件;在需要精确且较短延迟时间的非接触模式,仅开启电阻,获得精确的延迟时间。