一种负阻增强的低功耗FBAR振荡电路

专利申请号：CN202210839041.4

公 开 号：CN115118224A

发 明 人：马世月 王科平 马凯学 

代 理 人：韩新城

代理机构：天津市三利专利商标代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20220927

公 开 日：20220718

专利主分类号：H03B5/36

关 键 词：负阻 振荡电路 尾电流 减小 偏置 栅源 缓冲器 电流镜晶体管 动态体偏置 反馈 电源电压 负载牵引 共用栅极 核心结构 技术实现 开关调制 能量损耗 偏置结构 输出单元 维持振荡 谐振回路 低功耗 镜结构 体偏置 功耗 起振 抵消 隔离 输出 

摘      要：本发明公开一种负阻增强的低功耗FBAR振荡电路，基于Darlington单元采用动态体偏置技术实现，包括：栅源反馈负阻增强Colpitts核心振荡电路，采用Darlington单元与体偏置技术，提供负阻用于抵消谐振回路的能量损耗，维持振荡；自开关偏置尾电流单元，采用自开关调制尾电流镜结构，使尾电流经电流镜晶体管为振荡电路提供稳定尾电流偏置；缓冲器输出单元，用于隔离、减小负载牵引效应，提供差分输出。本发明采用栅源反馈负阻增强Colpitts电路为核心结构，基于负阻增强可显著缩短起振时间；共用栅极偏置结构有利于减小所需要的电源电压和功耗。