双栅晶体管存储单元及存储器

专利申请号：CN202220939684.1

公 开 号：CN217544163U

发 明 人：李毅达 周冰 程振 林龙扬 张国飙 沈美 朱泉舟 

代 理 人：深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)朱阳波

代理机构：深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型：实用新型

申 请 日：20221004

公 开 日：20220420

专利主分类号：G11C11/22

关 键 词：介电层 顶面 存储单元 沟道层 漏极 源极 本实用新型 双栅晶体管 铁电层 三维集成技术 铁电存储器 存储电容 限制存储 存储器 晶体管 底面 应用 

摘      要：本实用新型公开了双栅晶体管存储单元及存储器，其中，双栅晶体管存储单元包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧；其中，所述第一介电层包括铁电层，所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面；第二介电层，设置在所述沟道层的顶面；第二栅极，设置在所述第二介电层的顶面。本实用新型采用一个晶体管作为存储单元，消除了存储电容限制存储单元缩小面积的缺陷，使得铁电存储器可以很好的应用在三维集成技术中。