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一种极简的浮地磁控忆阻器电路仿真模型
专利申请号：CN201810619965.7
公 开 号：CN108804840B
发 明 人：余波
专利类型：发明专利
申 请 日：20220930
公 开 日：20180615
专利主分类号：G06F30/367
关 键 词：忆阻器 磁控 电阻 电路仿真 压控电阻 电压积分器 电压控制端 浮地 受控 电压输出端 电压输入端 电气特性 仿真软件 工作电压 阻值变化 二端口 复杂度 无接地 灵活
摘 要：本发明公开了一种极简的浮地磁控忆阻器电路仿真模型，包括端口a、端口b、压控电阻UR、电阻R和电压积分器A，压控电阻UR包括电压控制端uc和受控电阻Ru，压控电阻UR内受控电阻Ru的电阻值受电压控制端uc的电压值控制，电压积分器A包括电压输入端u和电压输出端uc。该浮地磁控忆阻器电路仿真模型端口a、b的电气特性等效了磁控忆阻器W的A、B端口特性，只需要使用仿真软件中已有的3个元件，为二端口模型，进一步的降低已有磁控忆阻器电路仿真模型的复杂度和元件数，具有忆阻值变化范围灵活、无接地限制、工作电压范围宽和易于理解的优点。
