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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN202211037967.8
公 开 号:CN115376600A
发 明 人:楚西坤
代 理 人:北京律智知识产权代理有限公司孙宝海
代理机构:北京律智知识产权代理有限公司
专利类型:发明专利
申 请 日:20221122
公 开 日:20220826
专利主分类号:G11C29/36
关 键 词:读写操作 测试 读写时序 预充电 时长 待机模式 存储器 半导体技术领域 测试存储阵列 控制信号序列 异常判定条件 表征存储器 存储器读写 预充电阶段 时序 读写 预设
摘 要:本公开提供了一种存储器的测试方法、装置、设备及介质,涉及半导体技术领域。该方法包括:针对存储器中的测试存储阵列进行至少一次读写操作测试,其中,在每次读写操作测试中,执行如下步骤:获取本次读写操作测试所对应的读写时序图,其中,读写时序图为本次读写操作所对应的控制信号序列的时序图,各阶段中的预充电阶段的实际预充电时长为本次读写操作测试所对应的测试预充电时长;根据读写时序图和预设异常判定条件,确定本次读写操作测试的测试结果,测试结果用于表征存储器在测试预充电时长下是否发生因待机模式造成的读写异常。根据本公开实施例,能够准确测试待机模式对存储器读写的影响。