一种基于斜入射的卫星电离总剂量解析分析方法

专利申请号：CN202210838677.7

公 开 号：CN115391713A

发 明 人：李衍存 汪路元 蔡震波 王晶燕 曲少杰 向宏文 秦珊珊 张志平 郑玉展 呼延奇 姚帅 

代 理 人：工业和信息化部电子专利中心田卫平

代理机构：工业和信息化部电子专利中心

专利类型：发明专利

申 请 日：20221125

公 开 日：20220718

专利主分类号：G06F17/10

关 键 词：总剂量 电离 卫星 垂直入射 斜入射 屏蔽 计算公式 拟合公式 拟合系数 铝屏蔽 卫星运行轨道 参数分析 关系获取 厚度关系 分析 入射 增厚 单机 解析 

摘      要：本发明提出一种基于斜入射的卫星电离总剂量解析分析方法，考虑了斜入射带来的屏蔽厚度增厚、总剂量变低效应，显著降低电离总剂量数据。具体包括以下步骤：步骤一、根据卫星运行轨道参数分析卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效屏蔽厚度的关系；步骤二、根据所述卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效铝屏蔽厚度的关系获取所述卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效屏蔽铝厚度关系的拟合公式及拟合系数；步骤三、利用所述拟合公式及拟合系数分析考虑斜入射效应的各向同性入射条件下的卫星电离总剂量与等效铝屏蔽厚度的计算公式；步骤四、根据所述计算公式分析卫星内部单机中器件的电离总剂量。