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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN202211344653.2
公 开 号:CN115390770A
发 明 人:伍骏
代 理 人:袁英
代理机构:成都金英专利代理事务所(普通合伙)
专利类型:发明专利
申 请 日:20221125
公 开 日:20221031
专利主分类号:G06F3/06
关 键 词:大位宽数据 数据属性 计算电路 属性标记 控制器 标记位 运算器 静态存储器SRAM 存储单元读取 数据单元分配 操作类型 单元设计 多路选择 计算处理 简化运算 软件干预 输出计算 输出数据 输入端口 数据单位 数据单元 物理实现 选择电路 运算单元 绕线 读出 运算 存储 流动
摘 要:本发明公开了一种用于简化SRAM输出数据多路选择方法及系统,包括以下步骤:读取数据,控制器从大宽度静态存储器SRAM的存储单元读取一行大位宽数据,该行大位宽数据包括一个操作类型的类型标记位,该行大位宽数据的每个数据单位含有一个指示该数据单元的数据属性的属性标记位;数据定向,控制器根据类型标记位和属性标记位,将各数据单元分配至对应的运算器及其相应的输入端口;计算处理,运算器进行计算并输出计算结果。本发明无需大规模的的选择电路,减少的绕线资源,更容易物理实现;同时数据属性存储在sram中,和数据同时读出,伴随数据在计算电路流动,运算时无需软件干预;本发明还可以简化运算单元设计,运算单元根据数据属性使用相应计算电路。