一种基于CMOS工艺的红外微桥探测器

专利申请号：CN202110711256.3

公 开 号：CN113447141B

发 明 人：翟光杰 武佩 潘辉 翟光强 

代 理 人：北京开阳星知识产权代理有限公司安伟

代理机构：北京开阳星知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20221202

公 开 日：20210625

专利主分类号：G01J5/24

关 键 词：吸收板 探测器 微桥 孔状结构 梁结构 红外传感结构 测量电路系统 空心柱状结构 实心柱状结构 金属互连 微桥结构 制作工艺 柱状结构 介质层 平坦化 减小 良率 热导 通孔 像素 制备 优化 悬空 贯穿 

摘      要：本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外微桥探测器，红外微桥探测器中的CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺、IMD工艺以及RDL工艺，CMOS红外传感结构中的柱状结构包括至少一层实心柱状结构和/或至少一层空心柱状结构，悬空微桥结构包括吸收板和梁结构，吸收板上形成有至少一个孔状结构，孔状结构至少贯穿吸收板中的介质层；和/或，梁结构上形成有至少一个孔状结构。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外微桥探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差等问题，优化了吸收板的平坦化程度，减小了梁结构的热导，优化了红外微桥探测器的性能。