基于准四维模型的电离层延迟改正方法及系统

专利申请号：CN202210898390.3

公 开 号：CN115469335A

发 明 人：辜声峰 何成鹏 王梓豪 龚晓鹏 

代 理 人：严彦

代理机构：武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20221213

公 开 日：20220728

专利主分类号：G01S19/07

关 键 词：电离层延迟 改正 背景场 方位角 高度角 残差 经度 纬度 解算 四维 电离层延迟模型 经纬度 地面参考站 电离层模型 数据存储量 存储方式 稀疏矩阵 电离层 构建 内插 子网 卫星 压缩 

摘      要：本发明提供一种基于准四维模型的电离层延迟改正方法及系统，解算地面参考站相对于不同卫星的斜路径电离层延迟，并按照经度、纬度、高度角、方位角划分为不同子网，从而生成基于经纬度划分的电离层延迟背景场以及基于经度、纬度、高度角、方位角划分的电离层延迟残差改正，以此构建准四维电离层延迟模型；在进行定位解算时，通过获取电离层延迟背景场及电离层延迟残差改正产品计算得到高精度电离层延迟改正。本发明考虑到电离层延迟中与高度角方位角相关的高频部分，显著提升了电离层模型精度。与斜路径电离层内插模型相比，本发明模型分为电离层延迟改正背景场和电离层延迟残差改正部分，同时采用稀疏矩阵存储方式显著压缩了数据存储量。