一种具有交叉回路下部电极的制备工艺

专利申请号：CN202210124923.2

公 开 号：CN114457300B

发 明 人：杨佐东 李宗泰 郎凯 

代 理 人：重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)雷钞

代理机构：重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20221220

公 开 日：20220210

专利主分类号：C23C4/02

关 键 词：电极回路 下部电极 电极层 绝缘层 研磨加工 制备工艺 上层 制备技术领域 底层绝缘层 炸裂 回路电极 基板定位 研磨 省略 导通 残留 铺设 掩盖 

摘      要：本发明涉及下部电极制备技术领域，具体涉及一种具有交叉回路下部电极的制备工艺，包括以下步骤：步骤一，基板定位；步骤二，形成底层绝缘层；步骤三，铺设掩盖膜；步骤四，形成回路电极层；步骤五，形成非电极回路区；步骤六，形成上层绝缘层；步骤七，研磨上层绝缘层。本发明的一种具有交叉回路下部电极的制备工艺因为省略了通过研磨加工电极层来得到非电极回路的步骤，采用本发明的工艺形成电极回路后可省去大部分研磨加工的时间，同时不会出现在非电极回路区出现电极层残留从而导致两个电极层之间的导通炸裂现象。